◦기존기술은 평판형 셀기반 적층스택
◦테이프 케스팅 공정기반 셀제작
◦ 높은 스택 발전효율(50%이상) 및 수전해 스택 효율(98%이상)
◦수소 및 공기극 동시 밀봉으로밀봉부위가 넓어 스택 제조 가격이 현재까지 매우 고가.
◦ 기계적 안정성이 필요한 수전해 모드에서 스택 안정성이 떨어짐

본기술: 평관형 셀 및 적층 스택

◦압출 공정 기반 대면적 셀 제작
◦ 평판형 스택과 동일 수준의 스택 발전효율(50%) 및 수전해 스택효율(100%) 달성
◦기존 평판형 스택의 밀봉재 사용량1/10으로 획기적 저감 및 스택 제조가격 절감
◦ 평관형 셀의 지지체 구조로 인해 기계적 강도가 우수하며 수전해 장기 안정성이 우수